HIGH TRANSCONDUCTANCE GaAs MESFETs FABRICATED USING SIDEWALL-ASSISTED SELF-ALIGNMENT TECHNOLOGY (SWAT).

K. Ueno, T. Furutsuka, M. Kanamori, A. Higashisaka

研究成果: Conference contribution

4 被引用数 (Scopus)
本文言語English
ホスト出版物のタイトルConference on Solid State Devices and Materials
出版社Japan Soc of Applied Physics
ページ405-408
ページ数4
ISBN(印刷版)4930813107, 9784930813107
DOI
出版ステータスPublished - 1985
外部発表はい

出版物シリーズ

名前Conference on Solid State Devices and Materials

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フィンガープリント 「HIGH TRANSCONDUCTANCE GaAs MESFETs FABRICATED USING SIDEWALL-ASSISTED SELF-ALIGNMENT TECHNOLOGY (SWAT).」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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