HIGH TRANSCONDUCTANCE GaAs MESFETs FABRICATED USING SIDEWALL-ASSISTED SELF-ALIGNMENT TECHNOLOGY (SWAT).

K. Ueno, T. Furutsuka, M. Kanamori, A. Higashisaka

研究成果: Conference contribution

4 引用 (Scopus)
元の言語English
ホスト出版物のタイトルConference on Solid State Devices and Materials
出版者Japan Soc of Applied Physics
ページ405-408
ページ数4
ISBN(印刷物)4930813107, 9784930813107
DOI
出版物ステータスPublished - 1985

出版物シリーズ

名前Conference on Solid State Devices and Materials

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

フィンガープリント HIGH TRANSCONDUCTANCE GaAs MESFETs FABRICATED USING SIDEWALL-ASSISTED SELF-ALIGNMENT TECHNOLOGY (SWAT).' の研究トピックを掘り下げます。これらはともに一意のフィンガープリントを構成します。

  • これを引用

    Ueno, K., Furutsuka, T., Kanamori, M., & Higashisaka, A. (1985). HIGH TRANSCONDUCTANCE GaAs MESFETs FABRICATED USING SIDEWALL-ASSISTED SELF-ALIGNMENT TECHNOLOGY (SWAT).Conference on Solid State Devices and Materials (pp. 405-408). (Conference on Solid State Devices and Materials). Japan Soc of Applied Physics. https://doi.org/10.7567/ssdm.1985.b-5-2