High transconductance GaAs MESFETs fabricated using sidewall-assisted self-alignment technology (SWAT)

K.Ueno K.Ueno, T.Furutuka T.Furutuka, M.Kanamori M.Kanamori, A.Higashisaka A.Higashisaka, Kazuyoshi Ueno

研究成果: Article

4 被引用数 (Scopus)
本文言語English
ページ(範囲)405-408
ジャーナルExtended Abstracts of Solid State Devices and Materials
出版ステータスPublished - 1985 8 1

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