HIGH TRANSCONDUCTANCE GaAs MESFETs FABRICATED USING SIDEWALL-ASSISTED SELF-ALIGNMENT TECHNOLOGY (SWAT).

K. Ueno, T. Furutsuka, M. Kanamori, A. Higashisaka

研究成果: Conference contribution

4 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント 「HIGH TRANSCONDUCTANCE GaAs MESFETs FABRICATED USING SIDEWALL-ASSISTED SELF-ALIGNMENT TECHNOLOGY (SWAT).」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science