Highly c-axis aligned GaN thin film grown on Si using GaP intermediate layer by metalorganic chemical vapor deposition

H. Ishikawa, T. Soga, T. Nagatomo, T. Jimbo, M. Umeno

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)We-P31
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出版ステータスPublished - 1996 3 1

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