Highly reliable interface of self-aligned CuSiN process with low-k SiC barrier dielectric (k=3.5) for 65nm node and beyond

T. Usami, T. Ide, Y. Kakuhara, Y. Ajima, K. Ueno, T. Maruyama, Y. Yu, E. Apen, K. Chattopadhyay, B. Van Schravendijk, N. Oda, M. Sekine

研究成果: Conference contribution

20 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Highly reliable interface of self-aligned CuSiN process with low-k SiC barrier dielectric (k=3.5) for 65nm node and beyond」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science