Improved dc characteristics of AlGaN/ GaN high-electron-mobility transistors on AlN/sapphire templates

S. Arulkumaran, M. Sakai, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, T. Shibata, K. Asai, S. Sumiya, Y. Kuraoka?2?

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本文言語English
ページ(範囲)1131-1133
ジャーナルAppl. Phys. Lett.
81
出版ステータスPublished - 2002 8月 1

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