Improved dc characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on AlN/sapphire templates

S. Arulkumaran, M. Sakai, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, T. Shibata, K. Asai, S. Sumiya, Y. Kuraoka, M. Tanaka, O. Oda

研究成果: Article査読

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フィンガープリント

「Improved dc characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on AlN/sapphire templates」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Physics & Astronomy