In-Plane Anisotropy of MOS Inversion Layer Mobility on Silicon (100), (110) and (111) Surfaces

H. Irie, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)724-725
ジャーナルExtended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
出版ステータスPublished - 2004 9 1

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