Interface Oxidation Mechanism in HfO2/Silicon System with Post-Deposition Annealing

H. Shimizu, M. Sasagawa, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi

研究成果: Article査読

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本文言語English
ページ(範囲)486-487
ジャーナルExtended Abstracts of 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
出版ステータスPublished - 2003 9 1

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