Laser-induced damage threshold and laser processing of GaN

Hong Bo Sun, Saulius Juodkazis, P. G. Eliseev, T. Sugahara, Tao Wang, Shigeki Matsuo, Shiro Sakai, Hiroaki Misawa

研究成果: Conference article査読

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抄録

The single-shot pulse laser-induced damaging thresholds (LIDTs), an important laser-optical constant of GaN material, were determined to approximately 34 and 65 nJ upon the irradiation of 400 and 800 nm wavelengths, 150 fs duration laser pulse focused by 40x magnification of dry objective lens (a lateral size of focal spot roughly at 1.22λ/NA, where NA = 0.65). The critical energy of sub-threshold pulses was determined for multi-shot optical damaging. The factors that influenced the LIDTs, optical properties of damaged GaN material and the possibility of laser processing of nitride devices were also discussed.

本文言語English
ページ(範囲)311-322
ページ数12
ジャーナルProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
3885
DOI
出版ステータスPublished - 2000
外部発表はい
イベントHigh-Power Laser Ablation II - Osaka, Jpn
継続期間: 1999 11月 11999 11月 5

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • コンピュータ サイエンスの応用
  • 応用数学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Laser-induced damage threshold and laser processing of GaN」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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