本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 9859-9862 |
ジャーナル | Physical Review B, |
巻 | 53 |
出版ステータス | Published - 1996 4月 1 |
Laser-power dependence of absorption changes in Ge-doped SiO2 glass induced by a KrF excimer laser
M. Fujimaki, K. Yagi, Y. Ohki, H. Nishikawa, K. Awazu
研究成果: Article › 査読
29
被引用数
(Scopus)