Low-resistance ohmic contacts to p-GaAs

Makoto Hirano, Fumihiko Yanagawa

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抄録

A new metal structure consisting of AuZnNi/Ti/Au has been proposed for forming low-resistance ohmic contacts to p-GaAs with a fine-pattern definition. The dependency of the contact resistance on the Ti-layer thickness indicated that an optimum amount of Ti is requred for reducing the contact resistance. A minimun contact resistance (0.3 12-mm) was obtained with 150-nm thick Ti attached to Be-implanted p-GaAs at a dose of 6X 1013 cm-3.

本文言語English
ページ(範囲)1268-1269
ページ数2
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics
25
8
DOI
出版ステータスPublished - 1986 8月
外部発表はい

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フィンガープリント

「Low-resistance ohmic contacts to p-GaAs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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