Low-temperature (330 °C) crystallization and dopant activation of Ge thin films via AgSb-induced layer exchange: Operation of an n-channel polycrystalline Ge thin-film transistor

Tatsuya Suzuki, Benedict Mutunga Joseph, Misato Fukai, Masao Kamiko, Kentaro Kyuno

研究成果: Article査読

17 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Low-temperature (330 °C) crystallization and dopant activation of Ge thin films via AgSb-induced layer exchange: Operation of an n-channel polycrystalline Ge thin-film transistor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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