Low temperature (~420 °C) expitaxial growth of CaF2/Si(111) by ionized-cluster-beam technique

M. Watanabe, H. Muguruma, M. Asada, S. Arai

研究成果: Article査読

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本文言語English
ページ(範囲)1803-1804
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics
29
9
出版ステータスPublished - 1990 1 1

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