Mechanical properties of the GaN thin films deposited on sapphire substrate

G. Yu, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Soga, J. Watanabe, T. Jimbo, M. Umeno

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抄録

The surface deformation of undoped GaN epitaxial layer on sapphire(0 0 0 1) substrate has been studied by the nanoindentation of pointed diamond (Berkovich triangular pyramid) and spherically tipped diamond of 5 μm radius. We found a "pop-in" under the load portion of load-displacement curves for all the samples, and that average shear stress is dependent on the film thickness. We further calculated "true-hardness" of GaN on sapphire(0 0 0 1) substrate, and compared with the results of InGaN on sapphire.

本文言語English
ページ(範囲)701-705
ページ数5
ジャーナルJournal of Crystal Growth
189-190
DOI
出版ステータスPublished - 1998 6 15
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  • 凝縮系物理学
  • 無機化学
  • 材料化学

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「Mechanical properties of the GaN thin films deposited on sapphire substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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