Mechanism of Vfb shift in HfO 2 gate stack by Al diffusion from (TaC) 1-xAl x gate electrode

T. Nabatame, M. Kimura, H. Yamada, A. Ohi, T. Ohishi, T. Chikyow

研究成果: Conference contribution

フィンガープリント

「Mechanism of Vfb shift in HfO <sub>2</sub> gate stack by Al diffusion from (TaC) <sub>1-x</sub>Al <sub>x</sub> gate electrode」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science