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Shibaura Institute of Technology ホーム
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Mechanism of Vfb shift in HfO
2
gate stack by Al diffusion from (TaC)
1-x
Al
x
gate electrode
T. Nabatame, M. Kimura, H. Yamada, A. Ohi, T. Ohishi, T. Chikyow
地域環境システム専攻
応用化学科
応用化学専攻
研究成果
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Mechanism of Vfb shift in HfO
2
gate stack by Al diffusion from (TaC)
1-x
Al
x
gate electrode」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Engineering & Materials Science
Annealing
100%
Electrodes
77%
Atoms
69%
Metals
64%
MOS capacitors
52%
Temperature
40%