MOCVD growth of c-axis oriented GaN on (110) Si substrates

H. Ishikawa, K. Shimanaka, K. Hiromori, N. Mori, T. Morimoto

研究成果: Article

17 引用 (Scopus)
元の言語English
ページ(範囲)Tu-58
ジャーナルDefault journal
出版物ステータスPublished - 2008 7 1

これを引用

Ishikawa, H., Shimanaka, K., Hiromori, K., Mori, N., & Morimoto, T. (2008). MOCVD growth of c-axis oriented GaN on (110) Si substrates. Default journal, Tu-58.