Multilevel planarized-trench-aluminum (PTA) interconnection using reflow sputtering and chemical mechanical polishing

K. Kikuta, T. Nakajima, K. Ueno, T. Kikkawa

研究成果: Conference contribution

11 被引用数 (Scopus)

抄録

A multilevel planarized-trench-aluminum (PTA) interconnection is developed using reflow sputtering and chemical mechanical polishing (CMP). This new PTA interconnection technology has the advantages both for a simple process using only Al reflow sputtering for simultaneous via and trench filling and subsequent CMP [1], and for high reliability in the interconnection due to the use of reflow sputtering. A double-level PTA interconnection demonstrates 4 times lower via resistance and 9 times longer electromigration lifetimes in both wiring and vias than conventional interconnections.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting
編集者 Anon
出版社Publ by IEEE
ページ285-288
ページ数4
ISBN(印刷版)0780314506
出版ステータスPublished - 1993 12 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1993 IEEE International Electron Devices Meeting - Washington, DC, USA
継続期間: 1993 12 51993 12 8

出版物シリーズ

名前Technical Digest - International Electron Devices Meeting
ISSN(印刷版)0163-1918

Other

OtherProceedings of the 1993 IEEE International Electron Devices Meeting
CityWashington, DC, USA
Period93/12/593/12/8

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Multilevel planarized-trench-aluminum (PTA) interconnection using reflow sputtering and chemical mechanical polishing」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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