Nano-Scaled ZnO Based RRAM with Memristive Behavior Fabricated by Dual Ion Beam Sputtering

Amitesh Kumar, Mangal Das, Biswajit Mandal, Ritesh Bhardwaj, Aaryashree, Abhinav Kranti, Shaibal Mukherjee

研究成果: Conference contribution

抄録

This work reports forming-free (FF) resistive switching (RS) with high endurance and retention for ZnO based thin films fabricated by dual ion beam sputtering (DIBS). Undoped and Ga-doped ZnO thin films have been used to compare the effect of doping upon RS behavior.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル18th International Conference on Nanotechnology, NANO 2018
出版社IEEE Computer Society
ISBN(電子版)9781538653364
DOI
出版ステータスPublished - 2019 1月 24
外部発表はい
イベント18th International Conference on Nanotechnology, NANO 2018 - Cork, Ireland
継続期間: 2018 7月 232018 7月 26

出版物シリーズ

名前Proceedings of the IEEE Conference on Nanotechnology
2018-July
ISSN(印刷版)1944-9399
ISSN(電子版)1944-9380

Conference

Conference18th International Conference on Nanotechnology, NANO 2018
国/地域Ireland
CityCork
Period18/7/2318/7/26

ASJC Scopus subject areas

  • バイオエンジニアリング
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Nano-Scaled ZnO Based RRAM with Memristive Behavior Fabricated by Dual Ion Beam Sputtering」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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