Nonreciprocal TE-TM mode converter with semiconductor guiding layer

H. Yokoi, T. Mizumoto, H. Iwasaki

研究成果: Article査読

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抄録

A nonreciprocal TE-TM mode converter with a semiconductor guiding layer was studied. The mode converter comprised a magnetic garnet/GaInAsP/InP (AlInAs-oxide, air) waveguide. When the lower cladding layer was air, the propagation distance required for a 45° mode conversion was estimated to be several hundreds of microns at 1.55 μm.

本文言語English
ページ(範囲)1670-1672
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
38
25
DOI
出版ステータスPublished - 2002 12 5
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Nonreciprocal TE-TM mode converter with semiconductor guiding layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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