Novel process for emitter-base-collector self-aligned hetero j unction bipolar transistor using a pattern-inversion method

S. Tanaka, M. Madihian, H. Toyoshima, N. Hayama, K. Honjo

研究成果: Article査読

5 被引用数 (Scopus)

抄録

A process for base-emitter-collector self-aligned HBTs using a pattern-inversion method is presented. A fabricated HBT has an emitter with a size of 1.5 x 10 μm2 realised by employing a dry-etching method. Typical current gain for the fabricated HBT is 26.

本文言語English
ページ(範囲)562-564
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
23
11
DOI
出版ステータスPublished - 1987 1 1
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Novel process for emitter-base-collector self-aligned hetero j unction bipolar transistor using a pattern-inversion method」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル