Numerical analysis of buffer-trap effects on gate lag in AlGaN/GaN high electron mobility transistors

A. Nakajima, K. Fujii, K. Horio

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)104303-1-104303-6
ジャーナルJpn. J. Appl. Phys.
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出版ステータスPublished - 2011 10 20

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