Numerical Analysis of GaAs MESFETs with p-Buffer Layer on Semi-Insulating Substrate Including Deep TRAPS

K. Horio, H. Yanai

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抄録

Numerical analysis of GaAs MESFETs with a p-buffer layer on the semi-insulating substrate is presented in which impurity compensation by traps is included. Using a p-buffer layer is shown to be effective in minimising the short-channel effects as in the case of using a substrate with high density of traps.

本文言語English
ページ(範囲)86-88
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
25
2
DOI
出版ステータスPublished - 1989 9 1

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Numerical Analysis of GaAs MESFETs with p-Buffer Layer on Semi-Insulating Substrate Including Deep TRAPS」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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