Numerical analysis of impact ionization effects on turn-on characteristics in GaAs MESFETs

K. Horio, A. Wakabayashi, Y. Mitani

研究成果: Article査読

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本文言語English
ページ(範囲)135-138
ジャーナルProceedings of 2001 European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium (GAAS 2001), London, England
出版ステータスPublished - 2001 9 1

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