Numerical analysis of substrate effect on turn-on characteristics of GaAs MESFET

K. Horio

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抄録

The effects of substrate trap 'EL2' on the turn-on characteristics of GaAs MESFETs are studied through two-dimensional simulation. It is found that abnormal current overshoot and subsequent slow transients can be observed due to EL2 when the off-state gate voltage is strongly negative and electrons are also depleted in the substrate.

本文言語English
ページ(範囲)343-344
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
35
4
DOI
出版ステータスPublished - 1999 2 18

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Numerical analysis of substrate effect on turn-on characteristics of GaAs MESFET」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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