Numerical modeling of impact-ionization effects on gate-lag phenomena in GaAs MESFETs

A. Wakabayashi, Y. Mitani, D. Kasai, K. Horio

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)210-213
ジャーナルProceedings of 2001 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2001), Athens, Greece
出版ステータスPublished - 2001 9 1

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