本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 339-342 |
ジャーナル | Proceedings of 1989 International Symposium on Signals, Systems and Electronics, Erlangen, Germany |
出版ステータス | Published - 1989 9月 1 |
Numerical Modelling of GaAs MESFET’s on the Semi-insulating Subrtrate Compensated by Deep Levels
K.Horio K.Horio, H.Yanai H.Yanai, Kazushige Horio
研究成果: Article › 査読