Numerical simulation of trapping effects on DRAIN-CURRENT transients of gaas mesfets

K. Horio

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抄録

Drain-current transients of GaAs MESFETs are simulated in the range from 10-13 to 102s. The currents become constant temporarily at around 10-11 ('quasisteady state'), but decrease or increase after some periods, reaching real steadystate values. The slow transients are attributed to trapping and detrapping by deep levels.

本文言語English
ページ(範囲)295-296
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
28
3
DOI
出版ステータスPublished - 1992 1

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  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「Numerical simulation of trapping effects on DRAIN-CURRENT transients of gaas mesfets」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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