Numerical simulation of trapping effects on DRAIN-CURRENT transients of gaas mesfets

K. Horio

研究成果: Article

2 引用 (Scopus)

抜粋

Drain-current transients of GaAs MESFETs are simulated in the range from 10-13 to 102s. The currents become constant temporarily at around 10-11 ('quasisteady state'), but decrease or increase after some periods, reaching real steadystate values. The slow transients are attributed to trapping and detrapping by deep levels.

元の言語English
ページ(範囲)295-296
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
28
発行部数3
DOI
出版物ステータスPublished - 1992 1

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  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント Numerical simulation of trapping effects on DRAIN-CURRENT transients of gaas mesfets' の研究トピックを掘り下げます。これらはともに一意のフィンガープリントを構成します。

  • これを引用