On the effects of gate-recess etching in current-collapse of different cap layers grown AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

Subramaniam Arulkumaran, Takashi Egawa, Lawrence Selvaraj, Hiroyasu Ishikawa

研究成果: Article査読

14 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「On the effects of gate-recess etching in current-collapse of different cap layers grown AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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