| 本文言語 | English |
|---|---|
| ジャーナル | 35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) |
| 出版ステータス | Published - 2004 12月 1 |
Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO2 through Structural Phase Transformation
K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi
研究成果: Article › 査読
K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi
研究成果: Article › 査読
| 本文言語 | English |
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| ジャーナル | 35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) |
| 出版ステータス | Published - 2004 12月 1 |