Photoluminescence and lasing characteristics of 1.3 μm GaInNAs/GaAsP/GaAs strain-compensated quantum wells

M. Kawaguchi, T. Miyamoto, S. Kawakami, A. Saito, F. Koyama

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

抄録

We investigated photoluminescence (PL) and lasing characteristics of 1.3 μm GaInNAs/GaAsP/GaAs strain-compensated quantum wells by MOCVD. We observed the increase of PL intensity and reduction of the threshold by applying appropriate GaAsP barriers.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2003 International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2003
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ72-73
ページ数2
ISBN(電子版)0780378202
DOI
出版ステータスPublished - 2003 1月 1
外部発表はい
イベント2003 International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2003 - San Diego, United States
継続期間: 2003 8月 252003 8月 27

出版物シリーズ

名前IEEE International Symposium on Compound Semiconductors, Proceedings
2003-January

Other

Other2003 International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2003
国/地域United States
CitySan Diego
Period03/8/2503/8/27

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Photoluminescence and lasing characteristics of 1.3 μm GaInNAs/GaAsP/GaAs strain-compensated quantum wells」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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