本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 842-846 |
ジャーナル | Default journal |
巻 | 78 |
出版ステータス | Published - 1995 7月 1 |
Photoluminescence study of defect in ion-implanted thermal SiO2 films
H. Nishikawa, E. Watanabe, D. Ito, M. Takiyama, A.Ieki A.Ieki, Y. Ohki
研究成果: Article › 査読
79
被引用数
(Scopus)