Photoluminescence study on point defects in buried SiO2 film formed by implantation of oxygen

K. S. Seol, A. Ieki, Y. Ohki, H. Nishikawa, M. Tachimori

研究成果: Article査読

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本文言語English
ページ(範囲)412-416
ジャーナルJournal of Applied Physics
79
出版ステータスPublished - 1996 1月 1

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