Process/ pad effects on electrical and physical properties of CMP copper damascene interconnects

J-F.Wang J-F.Wang, A.R.Sethuraman A.R.Sethuraman, L.Cook L.Cook, K.Ueno K.Ueno, Y.Tsuchiya Y.Tsuchiya, Kazuyoshi Ueno

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)387-392
ジャーナルProceedings of 1996 VLSI Multilevel Interconnection Conference
出版ステータスPublished - 1996 5月 1

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