Reactive ion etch characteristics of silicon oxynitride formed plasma enhanced chemical vapor deposition

K.Ueno K.Ueno, K.Tokashiki K.Tokashiki, T.Kikkawa T.Kikkawa, Kazuyoshi Ueno

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)1447-1450
ジャーナルJournal of Vacuum Science and Technology
B13
出版ステータスPublished - 1995 7 1

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