Realization of normally-off quaternary AlInGaN/GaN HEMT on sapphire substrate

Y. Liu, T. Egawa, H. Jiang, M. Hayashi, H. Ishikawa

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)MoP2-55
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出版ステータスPublished - 2006 10 1

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