Reliability study on three-dimensional Au/WSiN interconnections for ultra-compact MMICs

Hirohiko Sugahara, Masakatsu Kimizuka, Yoshino K. Fukai, Makoto Hirano, Fumiaki Hyuga

    研究成果: Article査読

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    抄録

    This paper discusses the reliability of three-dimensional Au/WSiN interconnections buried in a polyimide layer. Temperature cycle tests and bias stress tests reveal the high stability of this system. It is found that the enhanced degradation occurs at the Au/WSiN viahole contacts, which strongly depends on the current density. SEM analysis reveals the void formation in the Au layer near the Au-WSiN interface, which can be explained by the dam effect created by the WSiN layer.

    本文言語English
    ページ(範囲)1659-1662
    ページ数4
    ジャーナルMicroelectronics Reliability
    37
    10-11
    DOI
    出版ステータスPublished - 1997 1月 1

    ASJC Scopus subject areas

    • 電子材料、光学材料、および磁性材料
    • 原子分子物理学および光学
    • 安全性、リスク、信頼性、品質管理
    • 凝縮系物理学
    • 表面、皮膜および薄膜
    • 電子工学および電気工学

    フィンガープリント

    「Reliability study on three-dimensional Au/WSiN interconnections for ultra-compact MMICs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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