Role of Al atoms in (TaC)1-xAlx gate electrode on Vfb for HfO2 gate stack

M.Kimura M.Kimura, T.Nabatame T.Nabatame, H.Yamada H.Yamada, A.Ohi A.Ohi, T.Chikyow T.Chikyow, T.Ohishi T.Ohishi, Tomoji Oishi

研究成果: Article査読

本文言語English
ジャーナルNIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大
出版ステータスPublished - 2011 11月 4

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