Self-Aligned AllnAs/GalnAs HBTs for Digital IC Applications

S. Tanaka, A. Furukawa, T. Baba, K. Ohta, M. Madihian, K. Honjo, A. Furukawa, T. Baba, K. Ohta

研究成果: Article

4 引用 （Scopus）

抜粋

An AllnAs/GalnAs HBT with a self-aligned device structure has been realised. The smallest device has an emitter-base junction area as small as 10 x 10 μm. A 17-stage non-threshold logic (NTL) ring oscillator is also fabricated, which is the first logic IC implemented with HBTs on InP substrates.

元の言語English
ページ（範囲）872-873
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
巻24
発行部数14
DOI
出版物ステータスPublished - 1988 1 1

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  • Electrical and Electronic Engineering

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フィンガープリント Self-Aligned AllnAs/GalnAs HBTs for Digital IC Applications' の研究トピックを掘り下げます。これらはともに一意のフィンガープリントを構成します。

    • これを引用

    Tanaka, S., Furukawa, A., Baba, T., Ohta, K., Madihian, M., Honjo, K., Furukawa, A., Baba, T., & Ohta, K. (1988). Self-Aligned AllnAs/GalnAs HBTs for Digital IC Applications. Electronics Letters, 24(14), 872-873. https://doi.org/10.1049/el:19880594