Self-Aligned AllnAs/GalnAs HBTs for Digital IC Applications

S. Tanaka, A. Furukawa, T. Baba, K. Ohta, M. Madihian, K. Honjo, A. Furukawa, T. Baba, K. Ohta

研究成果: Article査読

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抄録

An AllnAs/GalnAs HBT with a self-aligned device structure has been realised. The smallest device has an emitter-base junction area as small as 10 x 10 μm. A 17-stage non-threshold logic (NTL) ring oscillator is also fabricated, which is the first logic IC implemented with HBTs on InP substrates.

本文言語English
ページ(範囲)872-873
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
24
14
DOI
出版ステータスPublished - 1988 1月 1
外部発表はい

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  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Self-Aligned AllnAs/GalnAs HBTs for Digital IC Applications」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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