メインナビゲーションにスキップ
検索にスキップ
メインコンテンツにスキップ
Shibaura Institute of Technology ホーム
English
日本語
ホーム
プロファイル
研究部門
研究成果
活動
プレス/メディア
受賞
専門知識、名前、または所属機関で検索
Simulation of breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs with double passivation layers
Kazushige Horio, H. Hanawa
電子情報システム学科
電気電子情報工学専攻
機能制御システム専攻
研究成果
:
Conference contribution
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Simulation of breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs with double passivation layers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Engineering & Materials Science
Passivation
55%
High electron mobility transistors
53%
Electric breakdown
51%
High-k dielectric
14%
Permittivity
9%
Electric fields
8%
Electric potential
4%
Chemical Compounds
Breakdown Voltage
68%
Chemical Passivation
46%
Simulation
29%
Nonconductor
10%
Dielectric Constant
8%
Electric Field
8%
Dielectric Material
8%
Voltage
6%
Medicine & Life Sciences
aluminum gallium nitride
100%