Structural characterization of strained AlGaN layers in different Al content AlGaN/GaN heterostructures and its effect on two-dimensional electron transport properties

M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa

研究成果: Article査読

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本文言語English
ページ(範囲)1527-1531
ジャーナルJ. Vac. Sci. Technol. B,
Vol. 23
出版ステータスPublished - 2005 8月 1

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