Studies on electron beam evaporated ZrO 2/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors

Krishnan Balachander, Subramaniam Arulkumaran, Hiroyasu Ishikawa, Krishnan Baskar, Takashi Egawa

研究成果: Article

50 引用 (Scopus)

フィンガープリント Studies on electron beam evaporated ZrO <sub>2</sub>/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors' の研究トピックを掘り下げます。これらはともに一意のフィンガープリントを構成します。

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