Temperature dependence of gate-leakage current in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo

研究成果: Article査読

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フィンガープリント

「Temperature dependence of gate-leakage current in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Physics & Astronomy