Thermal annealing behavior of defects induced by ion implantation in thermally grown SiO2 films

K. S. Seol, T. Karasawa, Y. Ohki, H. Nishikawa, M. Takiyama

研究成果: Article査読

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本文言語English
ページ(範囲)193-195
ジャーナルMicroelectrons Engineering
36
出版ステータスPublished - 1997 1 1

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