Trade-off relationship between breakdown and gate-lag in recessed-gate GaAs FETs

Y. Mitani, D. Kasai, K. Horio

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)143-146
ジャーナルProceedings of 2003 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, Arizona, USA
出版ステータスPublished - 2003 5月 1

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