本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 143-146 |
ジャーナル | Proceedings of 2003 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, Arizona, USA |
出版ステータス | Published - 2003 5月 1 |
Trade-off relationship between breakdown and gate-lag in recessed-gate GaAs FETs
Y. Mitani, D. Kasai, K. Horio
研究成果: Article › 査読