Two-dimensional analysis of slow current transients and current collapse in GaN FETs with a semi-insulating buffer layer

K.Horio K.Horio, H.Takayanagi H.Takayanagi, H.Nakano H.Nakano, K.Yonemoto K.Yonemoto, Kazushige Horio

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)1-9
ジャーナルShibaura Institute of Technology
50
出版ステータスPublished - 2006 9 30

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