Two-Dimensional Simulations of Drain-Current Transients in GaAs MESFET’s with Semi-insulating Substrates Compensated by Deep Levels

K.Horio K.Horio, Y.Fuseya Y.Fuseya, Kazushige Horio

研究成果: Article

40 被引用数 (Scopus)
本文言語English
ページ(範囲)1340-1346
ジャーナルIEEE Trans. Electron Devices
41
出版ステータスPublished - 1994 8 1

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