Two-Dimensional Simulations of GaAs MESFETs Including Impact Ionization of Carriers and Carrier Trapping in the Semi-insulating Substrate

K. Horio, K. Satoh, H. Kusuki

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)100-101
ジャーナルProceedings of 1993 VPAD, Nara, Japan
出版ステータスPublished - 1993 5 1

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