Two-Dimensional Transient Simulations of GaAs MESFETs with Semi-insulating Substrates Compensated by Deep Levels

K. Horio, Y. Fuseya

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)410-413
ジャーナルProceedings of International Symposium on Signals, Systems and Electronics(ISSSE’92), Paris, France
出版ステータスPublished - 1992 9 1

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